兼任教師-顧逸霞老師

教授: 顧逸霞 Y. S. Ku   

Name: Yi-sha Ku

學 歷: 國立清華大學原子科學研究所博士 (NTHU)

電 話: +886-3-5732103

Email:  yku@itri.org.tw

     
 


專長及研究領域學歷經歷榮譽及獎勵個人簡歷│
│研究計畫著作及演說重要學術活動指導研究生及團隊




現職
 

工研院量測技術發展中心 資深正研究員

清華大學電資學院光電研究所兼任教授

 

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專長及研究領域

‧ 在專業領域上,以光電技術及表面科學為基礎,發展「奈米結構 / 微力/電量」相關的高精密量測技術。

‧從技術的廣度來看,以精密量測為主,以「光/機/電/韌軟體」等多專長的團隊帶領和個人的系統整合能力為輔,並多方與國際半導體大廠及國家標準實驗室技術合作建構完整的前瞻技術開發資源網絡,以發展高科技領域所需的檢測技術、量測儀器、或檢校系統。

‧以技術的深度而言,專注前瞻原級標準量測技術開發和國際領導型半導體檢測技術建立,發展高解析度量測理論模型基礎,建立最佳化實驗設計及數值演算法,解決低雜訊高絕緣之精密量測技術要求,提出創新前瞻量測新方法,並於相關領域提出國際技術專利、專業期刊論文、國內外會議論文發表研發成果,建立技術團隊國際知名度及未來專利技術行銷通路。


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學歷


‧博士 - 國立清華大學原子科學所光電組 1992.3


‧學士 - 國立中央大學物理系學士 1985.6

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經歷

‧客座學者 1990.11-1991.11
美國橡樹嶺國家實驗室
物理化學研究部門


‧助理研究員 1992.7-1992.12
同步輻射研究中心

‧研究員 1993.1-2005.6
工研院量測技術發展中心

‧客座學者 1999.7-2000.2
澳洲國家標準實驗室

‧正研究員 2005.7-2011.6
工研院量測技術發展中心

‧兼任教授 2008.2-迄今
國立清華大學光電工程研究所

‧資深正研究員 2011.7-迄今
工研院量測技術發展中心


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個人研究技術之獎項與專業服務之貢獻

 

‧2011 工研院優質專利獎“Overlay measurement target” US7,379,184
‧2011 工研院2010年度論文獎“Reflectometer-based metrology for high-aspect ratio via measurement”
‧2010 經濟部科專成果表揚第一屆科技女傑獎
‧2009 工研院2008年度論文獎“Optimal measurement method for scatterometer-based overlay metrology”
‧2009-迄今 美國光學工程學會先進微影會議委員( Program Committee, SPIE Advanced Lithography conference)
‧2008 工研院2007年度論文獎“Through-focus technique for grating linewidth analysis with nanometer sensitivity”
‧2007 工研院量測技術發展中心論文研究獎第二名
‧2006 工研院傑出研究獎銀牌“45 奈米微影製程檢測技術”
‧2006 中華民國計量工程學會第七屆傑出計量工程師
‧2006-迄今 Technical Committee member on Nanometrology and Nanocharacterization, IEEE Nanotechnology Council
‧2006 工研院量測技術發展中心論文研究獎第一名
‧2005 工研院量測技術發展中心論文研究獎第二名
‧2004 工研院量測技術發展中心論文研究獎第一名
‧2003 工研院量測技術發展中心論文研究獎第二名
‧2001-迄今 工研院量測技術發展中心專利審查委員
‧1999-2000 澳洲國家標準實驗室客座學者獎助-籌建澳洲國家電容量測標準計畫
‧1999-2003 亞太計量組織電磁領域技術委員會Appendix C 工作小組成員

‧1999-2003 亞太計量組織電磁領域技術委員會(APMP-TCEM, Asia Pacific Metrology Program – Technical Committee of Electrical and Magnetism) 中華民國代表
‧1998-迄今 全國認證基金會(TAF)電磁測試領域技術委員
‧1996-2001 工研院量測技術發展中心電量室室主任
‧1995-迄今 全國認證基金會(TAF)校正領域主評審員,評審實驗室次數超過50次
‧1990-1991 教育部公費博士生獎學金

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個人簡歷

‧2006年SPIE-Microlithography年會發表研究成果論文4篇,提出對45nm微影製程量測驗證新技術,與國際半導體製造領導廠商台灣積體電路公司(TSMC)及先進微影檢測機台廠商Nanometrics簽訂合作發展計畫,開發前瞻製程檢測技術。

‧2005年SPIE-Microlithography年會發表研究成果論文5篇,提出對65nm以下微影疊對誤差及關鍵尺寸量測及製程驗證新技術,引起國際半導體檢測領域重視,並促成多項國際合作。目前已進行合作廠家包含STMicroelectronics、Philips、Freescale 及TSMC,洽談中的合作廠家有AMD、IBM等。申請中專利設計於65nm以下製程驗證計二十餘件 。

‧建立具追溯性的微力量測技術,使得微牛頓及奈牛頓的微力量測標準可藉由極穩定的電量單位追溯至SI量測標準。量測能量由0.1mN至10nN,可提供國內薄膜硬度量測、微/奈米結構量測等之追溯管道。2002-2003年協助美國國家標準實驗室設計最佳化微力標準量測系統-靜電力天平,並於國際期刊發表研究成果。

‧建立量化霍爾電阻標準量測系統及阻抗標準自我追溯體系,解決國內阻抗標準追溯問題,建立自我追溯能力,提昇我國阻抗標準之技術水準與世界一流國家同步。量化霍爾電阻原級系統量測不確定度可小於1 x 10-8, 並與其它先進國家進行國際比對。1999-2000年協助澳洲國家標準實驗室建立阻抗標準追溯系統,開發熔融水晶電容標準並共同發表研究成果於國際會議。



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未來規劃



研究領域-奈米檢測技術


1. 應用十餘年累積之奈米光學檢測技術及建立專業研發團隊之經驗,培育具有光電、物理、機械、軟體等整合領域專業人才。

2. 延續多年國際合作經驗,盡力促成與國際上技術領導機構合作,一方面快速學習國際先進研發技術,並且一起合作開發前瞻奈米檢測技術,善用國際資源共享,有效縮短技術研發時程降低所需經費。

3. 藉由與技術領先廠商國際合作成功經驗,推廣技術及專利授權至國內外合作廠家,爭取研究計畫經費及學生就業機會。

 

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著作及演說列表 (including invited/keynote talks)

(因篇幅限制只列出前五項,完整內容請參照副檔)


A. SCI國際期刊論文:

‧Yi-Sha Ku, Kuo Cheng Huang and Weite Hsu, “Characterization of high density through silicon vias with spectral Reflectometry”, Optics Express 19(7), p.5993- 6006, 2011
‧Y. S. Ku and F. S. Yang, “Reflectometer-based metrology for high-aspect ratio via measurement”, Optics Express, 18(7), p.7269- 7280, 2010
‧Y. S. Ku, Hsiu-Lan Pang, Weite Hsu, and Deh-Ming Shyu, “Accuracy of diffraction-based overlay metrology using a single array target”, Optical Engineering, 48(12), 123601(1-7), 2009
‧Y. S. Ku, Weite Hsu, Sen-yih Chou and Deh-Ming Shyu, “Optimal measurement method for scatterometer-based overlay metrology”, Optical Engineering, 47(8), p.083604(1-10), 2008
‧Y. S. Ku, A. S. Liu and N. P. Smith, “Through-focus technique for grating linewidth analysis with nanometer sensitivity”, Optical Engineering, 45(12), p.123602(1-6), 2006

B. 國際會議論文:

‧Yi-Sha Ku, “3D Interconnect metrology in ITRI”, ADMETA 2011, Sep. 15, Tokyo, Japan, 2011
‧Yi-Sha Ku, Deh-Ming Shyu, Wei-Te Hsu, P. Y. Chang, Y. C. Chen and H. L. Pang “3D Interconnect metrology in CMS/ITRI”, SEMATECH Workshop on 3D Interconnect Metrology, July 2011
‧Y. S. Ku, D. M. Shyu, W. T. Hsu, P. Y. Chang, Y. C. Chen and H. L. Pang, “3D Interconnect metrology in CMS/ITRI”, SPIE 8082(2011), 8082-18
‧Wei-Te Hsu, Yi-Sha Ku, , “Reflectometry for TSV Etching Depth Inspection”, SPIE 8082(2011), 8082-78
‧Deh-Ming Shyu, Wei-Te Hsu, and Yi-Sha Ku, “Depth Measurement of Through Silicon Via by using IR Confocal Microscope”, International Wafer-Level Packaging Conference, section 11-1, p.127-131, October 11-14, 2010

C. 國內期刊論文:

‧K. C. Huang and Y. S. ku, “反射儀在高深寬比矽穿孔檢測上的應用”, 台灣奈米會刊 No.22, Sep. 2010
‧Y. S. Ku, “3D IC 檢測技術”, 化工資訊與商情 vol.79, p46-50, 2010
‧W. T. Hsu and Y. S. ku, “半導體製程疊對誤差量測之研究”,量測資訊, vol.127, p42-47, 2009
‧W. T. Hsu and Y. S. ku, “Optimal Measurement for Diffraction-based Overlay Metrology”, 台灣奈米會刊 No.16, April 2009
‧S. P. Dong and Y. S. Ku “The Study of Critical Dimension Variations on Overlay Measurement”, 量測資訊, vol.119, p34-37, 2008

D. 國內會議論文:

‧Y. S. Ku, “3D Interconnect Metrology”, 3D IC SIG - 3D IC FORUM, June 27, 2011
‧Y. S. Ku, “3D Interconnect Metrology”, ITRI-TNO Workshop on 3D IC Technology, May 5, 2011
‧Y. S. Ku, “Reflectometer-based metrlogy for high-aspect ratio vias characterization”, 兩岸清華光電研討會, 3/28-4/1, 2011
‧Y. S. Ku, “3D Interconnect Metrology”, 3D IC技術標準化論壇, Aug 18, 2009
‧Y. S. Ku and H. L. Pang, “奈米疊對量測技術”, 第十屆奈米工程暨微系統技術研討會2006

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專利獲得與申請
 

專利獲得26件(US 12:7872741,7864324,7800824,7652776,7619753,7610170,7532317,7477396,7433060,7430052,7379184,7355713;TW 13件:I347428,I339778,I312413,I305826,I292031,I286196,I285797,I271811,I270693,I269870,I248154,91019,79828;中國大陸1件:ZL200710170331.X)
 

專利申請中30件(如附件,中華民國13件,美國9件,世界WO 2件,法國3件,德國1件,韓國2件)

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研究計畫技術內容說明

如副檔pdf 所示


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